外延 (晶体)








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「外延 (晶体)」的各地常用別名
中国大陸
外延
港臺
磊晶[1]

磊晶（英语：Epitaxy），是指一種用於半導體器件製造過程中，在原有晶片上長出新結晶以製成新半導體層的技術。此技術又稱外延成長（Epitaxial Growth），或指以外延技術成長出的結晶，有時可能也概指以外延技術製作的晶粒。


外延技術可用以製造矽電晶體到CMOS積體電路等各種元件，但在製作化合物半導體例如砷化鎵磊晶晶圓（英语：Epitaxial wafer）時，外延尤其重要。



外延成長技術的種類


  • 化學氣相沉積


  • 分子束外延技術：在高度真空下在表面沉積新的半導體結晶層的磊晶技術，相關可見真空蒸鍍技術。

  • 液相外延或稱液態外延（英语：Liquid Phase Epitaxy, LPE）的磊晶技術

  • 固相外延（英语：Solid Phase Epitaxy, SPE）的磊晶技術


參考來源


文獻

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  • Jaeger, Richard C. Film Deposition. Introduction to Microelectronic Fabrication 2nd. Upper Saddle River: Prentice Hall. 2002. ISBN 0-201-44494-1. 

引用


  1. ^ Epitaxy. 國家教育研究院. [2016-01-24] （中文）. （繁体中文）



外部連結







 
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维基共享资源中相關的多媒體資源：

1. Semiconductor devices fabrication
2. Semiconductors





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  • Deposition processes




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